IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF3710STRLPBF tarafından Infineon ve IRF640NSTRLPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRF3710STRLPBF | IRF640NSTRLPBF |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET / IR MOSFET (planar) | HEXFET (5th generation, trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 57 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max | 23 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 86.7 nC | 44.7 nC |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25 C) | 200 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 C to +175 C | — |
| Paket | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount (Tape and Reel) |
| RoHS Durumu | Compliant (Pb-free) | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Tape & Reel Orientation | TRL (left) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 18 A |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) | — | 150 W |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.15 ohm |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +175C |
| Lead-Free (PbF) | — | Yes |