IRF3710STRLPBF vs IRF640NSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRF3710STRLPBF توسط Infineon و IRF640NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRF3710STRLPBF IRF640NSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET / IR MOSFET (planar) HEXFET (5th generation, trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 57 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max 23 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max] —
Total Gate Charge (Qg) 86.7 nC 44.7 nC
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25 C) 200 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263AB), surface mount, 3-pin (2+tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount (Tape and Reel)
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Lead-Free Yes —
Tape & Reel Orientation TRL (left) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 18 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 150 W
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.15 ohm
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
محدوده دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Lead-Free (PbF) — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت