IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF4905STRLPBF द्वारा Infineon और IRF4905SPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 74A, D2PAK | Infineon

IRF4905STRLPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF4905SPBF IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET, 42A D2PAK | Infineon

IRF4905SPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
MSL स्तर 1 —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

डेटाशीट और संसाधन

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