IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF4905STRLPBF tarafından Infineon ve IRF4905SPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C —
Paket D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
MSL Seviyesi 1 —
RoHS Durumu Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin