IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF4905STRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF4905SPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C —
پیکیج D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں