IRF4905STRLPBF vs IRF4905SPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRF4905STRLPBF disebabkan oleh Infineon dan IRF4905SPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRF4905STRLPBF IRF4905SPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
FET Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C -74 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -260 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V [DATA_NEEDED: VGS max, typical +/-20V]
On-Resistance RDS(on) at VGS=-10V 20 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 120 nC 120 nC (typical per Mouser listing)
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 170 W —
Gambaran Suhu Operasi -55C to +175C —
Kemasan D2PAK (TO-263) D2PAK (TO-263) surface mount
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (Planar) HEXFET, planar cell
Aras MSL 1 —
Status RoHS Compliant Compliant (PBF suffix indicates Pb-free)
Lead-Free Yes —
Polarity — P-Channel
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — -42 A
On-Resistance (RDS(on) max) — 20 mOhm @ VGS = -10V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — -2.0 V to -4.0 V
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 170 W
Suhu Hubungan Operasi — -55 C to +150 C
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC, typical 0.6 C/W]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Qualification — JEDEC standard

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga