IRF7342PBF vs IRF7313TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7342PBF द्वारा Infineon और IRF7313TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF - Dual N-Channel 30V 6.5A MOSFET SO-8 | Infineon

IRF7313TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRF7342PBF IRF7313TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF IRF7313TRPBF
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पैकेज / केस 8-SOIC (SO-8) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS स्थिति Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
पैकेज — 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
MSL स्तर — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध