IRF7342PBF vs IRF7313TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRF7342PBF tarafından Infineon ve IRF7313TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IRF7342PBF IRF7313TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRF7342PBF IRF7313TRPBF
Original Mfr International Rectifier (now Infineon) —
Technology HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Configuration Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) —
Drain-Source Voltage V(DSS) -55 V —
Continuous Drain Current I(D) 3.4 A —
On-Resistance R(DS(on)) 0.105 ohm —
Power Dissipation P(D) 2 W —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Paket / Kas 8-SOIC (SO-8) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55C to +150C (junction)
Gate Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th)] —
Switching Frequency Optimization < 100 kHz —
RoHS Durumu Compliant —
Halogen Status Halogen-Free —
Qualification JEDEC standard —
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
On-Resistance (RDS(on)) max — 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Paket — 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
MSL Seviyesi — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin