IRF7380TRPBF vs IRF7854TRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF7380TRPBF द्वारा Infineon और IRF7854TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF7380TRPBF | IRF7854TRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $0.48 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF7380TRPBF | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array (2 independent FETs in one package) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 3.6 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 73 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Technology | IR MOSFET™ (Infineon HEXFET-style planar N-ch) | HEXFET (planar N-channel) |
| Total Power Dissipation (PD) | 2 W | — |
| पैकेज | SO-8 (8-SO, SOIC-8) | SO-8 |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| Gate Drive Voltage (typical) | 10 V (full RDS(on)); logic-level not guaranteed | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Pb-free plating, suffix PBF) | Yes (PBF suffix, lead-free) |
| Packaging | Tape & Reel (suffix TR) | — |
| Primary Application | High-frequency DC-DC converters | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | — | 10 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | — | 2.5 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 13.4 mΩ |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | — | 4.9 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 27 nC |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +150°C (TJ) |
| Qualification | — | JEDEC industrial, Normal level |
| Solder Process | — | Reflow and wave-solderable |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |