IRF9540NSTRLPBF vs IRF9530NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRF9540NSTRLPBF द्वारा Infineon और IRF9530NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRF9540NSTRLPBF | IRF9530NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| Product Type | Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | -100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -23 A (at Tc) | — |
| On-Resistance (Rds(on)) | 117 mOhm max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 64.7 nC | 38.7 nC (typ) |
| Power Dissipation (Ta) | 3.1 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 110 W | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263), surface mount | D2PAK (TO-263-3) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET, Advanced Process | HEXFET (Planar DMOS) |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Operating Mode | Enhancement-mode | — |
| Avalanche Rated | Yes | [DATA_NEEDED: EAS rating] |
| Lead Finish | Pb-free, RoHS-compliant | — |
| Shipping Media | Tape and Reel (TR suffix) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | -100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -14 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 200 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) range] |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 79 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | — | 3.8 W |
| Thermal Resistance Theta_JC | — | 1.5 C/W (typ) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (TJ) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |