IRF9540NSTRLPBF vs IRF9530NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9540NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF9530NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9540NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Product Type Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (Vdss) -100 V —
Continuous Drain Current (Id) -23 A (at Tc) —
On-Resistance (Rds(on)) 117 mOhm max —
Total Gate Charge (Qg) 64.7 nC 38.7 nC (typ)
Power Dissipation (Ta) 3.1 W —
Power Dissipation (Tc) 110 W —
پیکیج D2PAK (TO-263), surface mount D2PAK (TO-263-3)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET, Advanced Process HEXFET (Planar DMOS)
Polarity P-Channel P-Channel
Operating Mode Enhancement-mode —
Avalanche Rated Yes [DATA_NEEDED: EAS rating]
Lead Finish Pb-free, RoHS-compliant —
Shipping Media Tape and Reel (TR suffix) —
Drain-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — -14 A
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V — 200 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 79 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 3.8 W
Thermal Resistance Theta_JC — 1.5 C/W (typ)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (TJ)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں