IRFB3207ZPBF vs IRFB7437PBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon और IRFB7437PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB7437PBF IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF - 40V 195A 2.0mΩ StrongIRFET N-MOSFET | Infineon

IRFB7437PBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFB3207ZPBF IRFB7437PBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A 250 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55 C to +175 C -55°C to +175°C
पैकेज TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
माउंटिंग प्रकार Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
MSL स्तर N/A (through-hole) Not Applicable (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
RoHS स्थिति — Compliant
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

डेटाशीट और संसाधन

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