IRFB3207ZPBF vs IRFB7437PBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFB3207ZPBF توسط Infineon و IRFB7437PBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFB3207ZPBF IRFB7437PBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A 250 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C -55°C to +175°C
بسته‌بندی TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
نوع نصب Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
سطح MSL N/A (through-hole) Not Applicable (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
وضعیت RoHS — Compliant
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت