IRFB3207ZPBF vs IRFB7437PBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFB3207ZPBF מאת Infineon ו IRFB7437PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFB3207ZPBF IRFB7437PBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Number IRFB3207ZPBF —
Series HEXFET —
Technology N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized) StrongIRFET™, N-Channel Trench MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 75 V 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 120 A —
Silicon-Limited Drain Current 170 A 250 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.1 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 300 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C -55°C to +175°C
מארז TO-220AB (3-lead through-hole) TO-220AB (through-hole, 3 leads)
סוג הרכבה Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free) —
רמת MSL N/A (through-hole) Not Applicable (through-hole package)
Avalanche Rated Yes (improved Z-variant ruggedness) —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 195 A
R_DS(on) typ @ VGS=10V — 1.5 mΩ
R_DS(on) max @ VGS=10V — 2.0 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th) typ) — 3.0 V (1.7 V min, 3.9 V max per datasheet family)
Total Gate Charge (Qg) — 150 nC
Miller Plateau Charge (Qgd) — 49 nC
Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) — 230 W
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — 0.62 °C/W
Lead Finish — Lead-free (PBF - Pb-free plating)
סטטוס RoHS — Compliant
AEC-Q101 Automotive — Not qualified (industrial/consumer)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר