IRFB4020PBF vs IRFB4410PBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFB4020PBF द्वारा Infineon और IRFB4410PBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFB4020PBF | IRFB4410PBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | MOSFET (Metal Oxide) - HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 100 W | — |
| RDS(on) Maximum | 100 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | 20 V | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 1.43 C/W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | 175 C (max) | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| पिन काउंट | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Lead-Free (PbF suffix) | Yes | — |
| Market Qualification | Consumer | — |
| Recommended Use | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25C | — | 88 A (Tc) |
| Continuous Drain Current (Id) @ 100C | — | [DATA_NEEDED: Id @ 100C] |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: Idm pulse] |
| Gate-to-Source Voltage (Vgs) | — | [DATA_NEEDED: Vgs max] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 10 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 120 nC |
| Power Dissipation (Pd) | — | 200 W (Tc) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C (Tj) |
| Avalanche Energy Rating | — | Single-pulse avalanche rated |
| MSL स्तर | — | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Series | — | HEXFET |