IRFH5301TRPBF vs IRFH5300TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFH5301TRPBF द्वारा Infineon और IRFH5300TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IRFH5301TRPBF IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF - 30V 100A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5301TRPBF ✓ सक्रिय
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IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFH5301TRPBF IRFH5300TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (StrongIRFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) 50 nC
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +150C (junction) -55C to +150C
पैकेज PQFN (5x6 mm) Single Die PQFN-8 (5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 40 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 336 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissition at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 250 W
Gate Drive Level — Logic-level (5V optimized)
JEDEC Qualification — Yes
RoHS स्थिति — Compliant

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