IRFH5301TRPBF vs IRFH5300TRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFH5301TRPBF بذریعہ Infineon اور IRFH5300TRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFH5300TRPBF IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5300TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFH5301TRPBF IRFH5300TRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (StrongIRFET) HEXFET (StrongIRFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (TA, 25C) 35 A —
Continuous Drain Current (TC, 25C) 100 A —
RDS(on) Max @ VGS=10V 1.85 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 37 nC (typical) 50 nC
Power Dissipation (TA) 3.6 W —
Power Dissipation (TC) 110 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (junction) -55C to +150C
پیکیج PQFN (5x6 mm) Single Die PQFN-8 (5x6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Drive Logic Level Optimized for 5 V VGS drive —
RoHS / Halogen-Free RoHS compliant, Halogen-free —
Qualification JEDEC standard —
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 40 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 336 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Power Dissition at TA=25C — 3.6 W
Power Dissipation at TC=25C — 250 W
Gate Drive Level — Logic-level (5V optimized)
JEDEC Qualification — Yes
RoHS اسٹیٹس — Compliant

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں