IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR5305TRPBF द्वारा Infineon और IRF5305STRRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR5305TRPBF | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (Advanced Process) |
| MSL स्तर | 1 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Pb-free PBF suffix) | — |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |