IRFR5305TRPBF vs IRF5305STRRPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRFR5305TRPBF بذریعہ Infineon اور IRF5305STRRPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR5305TRPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRFR5305TRPBF IRF5305STRRPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 31 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V 65 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) -2 V to -4 V —
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 110 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 270 mJ —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) D2PAK (TO-263) Surface Mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET (Advanced Process)
MSL لیول 1 —
RoHS اسٹیٹس Compliant (Pb-free PBF suffix) —
Lead-Free Finish Yes (PBF suffix) —
ٹرانزسٹر کی قسم — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں