IRFR540ZTRPBF vs IRFB3207ZPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR540ZTRPBF द्वारा Infineon और IRFB3207ZPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR540ZTRPBF IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF - 100V N-Ch MOSFET, 35A, DPAK | Infineon

IRFR540ZTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF - 75V N-Channel HEXFET MOSFET 170A | Infineon

IRFB3207ZPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR540ZTRPBF IRFB3207ZPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) 35 A (at Tc) —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance Rds(on) Max 28.5 mOhm at Vgs=10V —
Gate-Source Threshold Vgs(th) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) 39 nC —
Power Dissipation (Pd) 91 W (at Tc) —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (junction) —
पैकेज TO-252AA (DPAK) surface mount TO-220AB (3-lead through-hole)
Technology IR MOSFET N-Channel MOSFET (HEXFET, Z-suffix ruggedized)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Through Hole
पिन काउंट 3 (Gate, Drain, Source) —
MSL स्तर 1 (unlimited floor life at <30 C / 85% RH) N/A (through-hole)
RoHS स्थिति Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes / Yes —
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRFB3207ZPBF
Series — HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 120 A
Silicon-Limited Drain Current — 170 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current value]
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V — 3.3 mOhm
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 4.1 mOhm
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th)]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissition (PD) at TC=25C — 300 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free)
Avalanche Rated — Yes (improved Z-variant ruggedness)

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