IRFR9024NTRPBF vs IRF7309TRPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR9024NTRPBF द्वारा Infineon और IRF7309TRPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF - 55V 11A P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRPBF ✓ सक्रिय
Infineon
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF - Dual N/P MOSFET Array 30V 4A/3A SO-8 | Infineon

IRF7309TRPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRFR9024NTRPBF IRF7309TRPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) $0.17 —
Polarity P-Channel N+P
VDS (Drain-Source Voltage) -55 V —
Continuous Drain Current (Tc=25C) -11 A —
पल्स्ड ड्रेन करंट [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
VGS (Gate-Source Voltage) ±20 V —
VGS(th) (Threshold Voltage) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
RDS(on) Max at VGS=-10V 175 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 12.7 nC —
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) 38 W —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55C to +175C —
पैकेज TO-252AA (DPAK) 8-SO (SOIC-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
पिन काउंट 3 —
Technology HEXFET (Gen 5) IR HEXFET Generation V
RoHS स्थिति Compliant Compliant
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +150C (TJ)
MSL स्तर — MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

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