IRFS3306PBF vs IRFS3306TRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFS3306PBF द्वारा Infineon और IRFS3306TRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFS3306PBF | IRFS3306TRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 120 A (package limited) | — |
| Continuous Drain Current (ID, silicon limited) | 160 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | 2.0 V to 4.0 V (typical range) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.2 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V | 3.3 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) typ | 85 nC | — |
| Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ | [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] | — |
| Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C | 230 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| पैकेज | D2PAK (TO-263AB) surface mount | D2PAK (TO-263), surface mount |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Lead-Free / RoHS | PbF (lead-free), RoHS compliant | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C | — | 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 4.2 mΩ |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 85 nC |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 230 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet) |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Tape & Reel Packaging | — | 13-inch reel, 800 pcs/reel typical |
| Body Diode dV/dt Capability | — | Enhanced (per Infineon datasheet feature) |