IRFS3306PBF vs IRFS3306TRLPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFS3306PBF מאת Infineon ו IRFS3306TRLPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRFS3306PBF IRFS3306TRLPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A (package limited) —
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.2 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 85 nC —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] —
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C 230 W —
טמפרטורת צומת פעולה -55C to +175C —
מארז D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS PbF (lead-free), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 4.2 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55 °C to +175 °C (junction)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
סטטוס RoHS — Compliant
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר