IRFS3306PBF vs IRFS3306TRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRFS3306PBF توسط Infineon و IRFS3306TRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRFS3306PBF IRFS3306TRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A (package limited) —
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.2 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 85 nC —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] —
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C 230 W —
دمای اتصال کاری -55C to +175C —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS PbF (lead-free), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 4.2 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
محدوده دمای کاری — -55 °C to +175 °C (junction)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
وضعیت RoHS — Compliant
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت