IRFS3306PBF vs IRFS3306TRLPBF Сравнение

Подробное сравнение бок о бок IRFS3306PBF от Infineon и IRFS3306TRLPBF от Infineon. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Infineon
IRFS3306PBF IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF - 60V 120A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFS3306PBF ✓ Активен
Infineon
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF - 60V 160A N-Ch MOSFET, 4.2mΩ, D2PAK | Infineon

IRFS3306TRLPBF ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр IRFS3306PBF IRFS3306TRLPBF
Бренд Infineon Infineon
Категория MOSFETs MOSFETs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $1,28 $1,12
FET Type N-Channel N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR MOSFET™ (HEXFET-style planar stripe)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 120 A (package limited) —
Continuous Drain Current (ID, silicon limited) 160 A —
Gate-to-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] 2.0 V to 4.0 V (typical range)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.2 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 3.3 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) typ 85 nC —
Gate-to-Drain Charge (Qgd) typ [DATA_NEEDED: Qgd nominal value] —
Power Dissipation (Pd) max @ Tc=25C 230 W —
Рабочая температура перехода -55C to +175C —
Корпус D2PAK (TO-263AB) surface mount D2PAK (TO-263), surface mount
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Уровень MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free / RoHS PbF (lead-free), RoHS compliant —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25°C — 120 A (Infineon datasheet; 160 A pulsed per IR datasheet family)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) Max @ VGS=10V — 4.2 mΩ
Total Gate Charge (Qg) — 85 nC
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 230 W
Диапазон рабочих температур — -55 °C to +175 °C (junction)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (PbF, Halogen-Free per Infineon datasheet)
Статус RoHS — Compliant
Tape & Reel Packaging — 13-inch reel, 800 pcs/reel typical
Body Diode dV/dt Capability — Enhanced (per Infineon datasheet feature)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену