IRL3705NPBF vs IRFZ48NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRL3705NPBF द्वारा Infineon और IRFZ48NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRL3705NPBF | IRFZ48NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc | 89 A | — |
| पल्स्ड ड्रेन करंट | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc | 170 W | — |
| On-Resistance R_DS(on) | 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) | — |
| Gate Threshold V_GS(th) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge Q_g | 65.3 nC | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| Technology | HEXFET (planar cell, fifth generation) | HEXFET (advanced planar) |
| पैकेज | TO-220AB (3-pin through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| Gate Drive Level | Logic-level | — |
| Avalanche Rated | Yes (ruggedized single-pulse avalanche) | — |
| Lead-Free (PBF suffix) | Yes | Yes |
| RoHS स्थिति | Compliant (per PBF suffix) | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 64 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 14 mΩ (maximum) |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 54 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 130 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Qualification Standard | — | Industrial market |