IRL3705NPBF vs IRFZ48NPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRL3705NPBF bằng Infineon và IRFZ48NPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRL3705NPBF IRL3705NPBF - 55V 89A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRL3705NPBF - 55V 89A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRL3705NPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRL3705NPBF IRFZ48NPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
Điện áp rò rỉ xung [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) HEXFET (advanced planar)
Hộp TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (through-hole)
Kiểu lắp đặt Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
Trạng thái RoHS Compliant (per PBF suffix) Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
Nhiệt độ mối nối hoạt động — -55C to +175C
Qualification Standard — Industrial market

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá