IRL3705NPBF vs IRFZ48NPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRL3705NPBF بذریعہ Infineon اور IRFZ48NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF - 55V 64A N-Channel HEXFET MOSFET TO-220

IRFZ48NPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRL3705NPBF IRFZ48NPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) 55 V —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc 89 A —
پلسڈ ڈرین کرنٹ [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (P_D) at Tc 170 W —
On-Resistance R_DS(on) 10 mOhm (typical, V_GS = 5 V) —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g 65.3 nC —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Technology HEXFET (planar cell, fifth generation) HEXFET (advanced planar)
پیکیج TO-220AB (3-pin through-hole) TO-220AB (through-hole)
ماؤنٹنگ ٹائپ Through Hole Through Hole
Gate Drive Level Logic-level —
Avalanche Rated Yes (ruggedized single-pulse avalanche) —
Lead-Free (PBF suffix) Yes Yes
RoHS اسٹیٹس Compliant (per PBF suffix) Compliant
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — 64 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 14 mΩ (maximum)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — 54 nC
Power Dissipation (PD) at TC — 130 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Qualification Standard — Industrial market

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں