IRL40S212ARMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRL40S212ARMA1 द्वारा Infineon और BSC117N08NS5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRL40S212ARMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 5 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| पिन काउंट | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |