IRL40S212ARMA1 vs BSC117N08NS5ATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IRL40S212ARMA1 tarafından Infineon ve BSC117N08NS5ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IRL40S212ARMA1 | BSC117N08NS5ATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +150 C (typical MOSFET junction) |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 5 |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| MSL Seviyesi | 1 (unlimited) | 1 |
| Part Number | — | BSC117N08NS5ATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) max | — | 49 A (Tc) |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | — | 11.7 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 50 W |
| Pin Sayısı | — | 8 |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg value] |