IRLR024NTRPBF vs IRLR024NTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR024NTRPBF द्वारा Infineon और IRLR024NTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR024NTRPBF | IRLR024NTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | 10 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (junction) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | HEXFET (cellular N-channel MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 65 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 45 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 3.3 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 50 °C/W (PCB mount) |
| Avalanche Rating | — | Fully avalanche rated |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |