IRLR024NTRPBF vs IRLR024NTRLPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của IRLR024NTRPBF bằng Infineon và IRLR024NTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IRLR024NTRPBF | IRLR024NTRLPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | 10 nC (typical) |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C | -55 °C to +175 °C (junction) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Hộp | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + tab), Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | HEXFET (cellular N-channel MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Transistor Polarity | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 17 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 65 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | Logic-level (drive from 3.3V/5V logic) |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 45 W |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | 3.3 °C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RθJA) | — | 50 °C/W (PCB mount) |
| Avalanche Rating | — | Fully avalanche rated |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |