IRLR3114ZTRPBF vs IRL540NSTRLPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLR3114ZTRPBF द्वारा Infineon और IRL540NSTRLPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLR3114ZTRPBF | IRL540NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) | 42 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 130 A | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | 16 V | ±16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.5 V (typ) | Logic-level |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V | 4.9 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 40 nC @ VGS=4.5 V | 49.3 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | 3.81 nF | — |
| Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) | 140 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | TO-252AA (DPAK) surface mount | TO-263 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन की संख्या | 3 (2 + tab) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 36 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | — | 44 mΩ |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | — | 140 W |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | — | 3.8 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (single-pulse) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |