IRLR3114ZTRPBF vs IRL540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRLR3114ZTRPBF بذریعہ Infineon اور IRL540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRLR3114ZTRPBF IRL540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) Logic-level
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 49.3 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج TO-252AA (DPAK) surface mount TO-263 (D2PAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پنز کی تعداد 3 (2 + tab) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
MSL لیول — [DATA_NEEDED: MSL rating]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں