IRLR3114ZTRPBF vs IRL540NSTRLPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLR3114ZTRPBF توسط Infineon و IRL540NSTRLPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLR3114ZTRPBF IRL540NSTRLPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25 C) 42 A —
Continuous Drain Current (ID, Tc=100 C) 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 130 A [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max 16 V ±16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.5 V (typ) Logic-level
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 4.5 mOhm —
On-Resistance RDS(on) @ VGS=4.5V 4.9 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 40 nC @ VGS=4.5 V 49.3 nC
Input Capacitance (Ciss) 3.81 nF —
Power Dissipation (Pd, Tc=25 C) 140 W —
دمای اتصال کاری -55 C to +175 C —
بسته‌بندی TO-252AA (DPAK) surface mount TO-263 (D2PAK)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پین‌ها 3 (2 + tab) —
وضعیت RoHS Compliant Compliant (LPBF suffix indicates lead-free)
FET Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 36 A
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V — 44 mΩ
On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Power Dissipation (PD) at Tc=25°C — 140 W
Power Dissipation (PD) at TA=25°C — 3.8 W
محدوده دمای کاری — -55°C to +175°C
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse)
سطح MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت