IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRLZ44NPBF द्वारा Infineon और IRLZ44ZPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRLZ44NPBF | IRLZ44ZPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) | 1.0 V to 2.5 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 24 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 110 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.4 °C/W | — |
| पैकेज | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through-Hole |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (fully enhanced at VGS=5V) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLZ44ZPBF |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 51 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 13.5 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | 22 mOhm |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Power Dissipation (PD) | — | 80 W |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level (4.5V to 10V) |
| Qualification | — | Automotive (per manufacturer description) |