IRLZ44NPBF vs IRLZ44ZPBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRLZ44NPBF מאת Infineon ו IRLZ44ZPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRLZ44NPBF | IRLZ44ZPBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 160 A | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.0 V to 2.0 V (typ 1.5 V) | 1.0 V to 2.5 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 22 mΩ max at VGS=5V, ID=25A | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 32 nC | 24 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 110 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | 1.4 °C/W | — |
| מארז | TO-220AB (through-hole, 3 leads) | TO-220AB |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through-Hole |
| Technology | HEXFET (advanced process) | HEXFET |
| Logic-Level Gate Drive | Yes (fully enhanced at VGS=5V) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |
| Part Number | — | IRLZ44ZPBF |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 51 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 13.5 mOhm |
| RDS(on) Max @ VGS=4.5V | — | 22 mOhm |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| Power Dissipation (PD) | — | 80 W |
| Gate Drive Level | — | Logic-Level (4.5V to 10V) |
| Qualification | — | Automotive (per manufacturer description) |