ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISC015N04NM5ATMA1 द्वारा Infineon और ISC0703NLSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | ISC015N04NM5ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 60 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | 57 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55C to +150C (junction) |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |