ISC015N04NM5ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISC015N04NM5ATMA1 tarafından Infineon ve ISC0703NLSATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISC015N04NM5ATMA1 ISC0703NLSATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 5 40V Normal Level —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS family)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3.4 V (typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
R_DS(on) max 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C 33 A 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 206 A 57 A
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 115 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) -55C to +150C (junction)
Paket / Kas PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 8 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (per Infineon SuperSO8 family) [DATA_NEEDED: MSL level]
Drive Level Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Paket — PG-TDSON-8 (5x6 mm)
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin