ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना ISCH57N04NM7VSCATMA1 द्वारा Infineon और BSC076N04NDATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
ISCH57N04NM7VSCATMA1 ISCH57N04NM7VSCATMA1 - 40V 443A OptiMOS 7 Dual-Side Cooled MOSFET | Infineon

ISCH57N04NM7VSCATMA1 - 40V 443A OptiMOS 7 Dual-Side Cooled MOSFET | Infineon

ISCH57N04NM7VSCATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC076N04NDATMA1 BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 - 40V 20A 7.6mOhm Dual N-MOSFET | Infineon

BSC076N04NDATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर ISCH57N04NM7VSCATMA1 BSC076N04NDATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 7 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 443 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) —
पैकेज PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, source-down lead-frame Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Cooling Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) —
RoHS स्थिति Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 C to +175 C
पैकेज / केस — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

डेटाशीट और संसाधन

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