ISCH57N04NM7VSCATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma ISCH57N04NM7VSCATMA1 tarafından Infineon ve BSC076N04NDATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre ISCH57N04NM7VSCATMA1 BSC076N04NDATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel 2x N-Channel MOSFET array
Technology OptiMOS 7 (trench) Trench MOSFET (OptiMOS 3)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 52 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc [DATA_NEEDED: ID at Tc value, datasheet not in verified data] —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 443 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 214 W —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] 4 V (max, typical)
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +175 C (typical MOSFET junction range) —
Paket PG-WSON-8-2 (PQFN 5x6 mm, Dual Side Cooled) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Configuration Single N-channel, source-down lead-frame Dual N-Channel (independent MOSFETs)
Cooling Dual Side Cooled (top + bottom thermal interface) —
RoHS Durumu Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) max — 40 V
Continuous Drain Current (ID) — 20 A (Tc)
On-Resistance RDS(on) max — 7.6 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.3 W
Power Dissipation (Tc) — 65 W
Qgd/Qgs Ratio — < 0.8 (high shot-through immunity)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Paket / Kas — PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm)
RoHS / Pb-Free — Compliant (Pb-free plating)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin