K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-PBC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G085WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics और H5AN4G8NBJR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| डेटा दर | 2666 Mbps/pin | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C | — |
| पैकेज | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| इंटरफ़ेस प्रकार | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Refresh | — | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |