K4A4G085WD-BCTD vs H5AN4G8NBJR-PBC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4A4G085WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics اور H5AN4G8NBJR-PBC بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4A4G085WD-BCTD | H5AN4G8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | SK hynix |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | — |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2666 Mbps/pin | — |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| پیکیج | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| انٹرفیس | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | — |
| MSL لیول | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| انٹرفیس ٹائپ | — | Parallel, JEDEC DDR4 |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Speed Grade | — | PBC |
| Clock Frequency | — | [DATA_NEEDED: Clock Frequency] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Normal Operating Case Temperature | — | 0C to 85C |
| Extended Temperature Range | — | up to 95C case (with increased refresh) |
| Lead Free | — | Yes |
| ہیلوجن فری | — | Yes |
| Refresh | — | 8n prefetch, standard/auto refresh per DDR4 JEDEC |