K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WF-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4A4G165WD-BCRC | K4A4G165WF-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | — | $8.20 |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Bin | DDR4-2400 (BCRC) | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-96 | FBGA-96 (PBGA96) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Generation | Samsung D-die | — |
| इंटरफ़ेस प्रकार | DDR4 (double data rate, parallel) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| RoHS स्थिति | Lead free / RoHS Compliant | Compliant |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Speed (Data Rate) | — | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| I/O Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | SSTL-12 |
| विशेषताएँ | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Technology | — | Samsung F-die CMOS |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Refresh | — | Self-refresh and auto-refresh supported |