K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci K4A4G165WD-BCRC disebabkan oleh Samsung Electronics dan K4A4G165WF-BCTD disebabkan oleh Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCTD K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCTD
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $8.20
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
Tegangan Pemberi Arus 1.2 V —
Kemasan FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
Jenis Antaramuka DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Suhu Operasi [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Status RoHS Lead free / RoHS Compliant Compliant
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Saiz Ingatan — 4 Gbit
Speed (Data Rate) — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Supply Voltage VDD — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
I/O Voltage VDDQ — 1.2 V
Antaramuka — SSTL-12
Ciri-ciri — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Technology — Samsung F-die CMOS
Bank Groups — 4 (x16 configuration)
Refresh — Self-refresh and auto-refresh supported

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga