K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WD-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A4G165WF-BCTD מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCTD K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCTD
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $8.20
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
ארגון 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
מתח אספקה 1.2 V —
מארז FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
סוג ממשק DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
סטטוס RoHS Lead free / RoHS Compliant Compliant
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
גודל זיכרון — 4 Gbit
Speed (Data Rate) — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Supply Voltage VDD — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
I/O Voltage VDDQ — 1.2 V
ממשק — SSTL-12
תכונות — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Technology — Samsung F-die CMOS
Bank Groups — 4 (x16 configuration)
Refresh — Self-refresh and auto-refresh supported

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר