K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCTD Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4A4G165WD-BCRC dari Samsung Electronics dan K4A4G165WF-BCTD dari Samsung Electronics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCTD K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCTD ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCTD
Merek Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $8,20
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
Organisasi 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
Tegangan Pemuat 1.2 V —
Paket FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
Tipe Antarmuka DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Suhu Kerja [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +95C
Status RoHS Lead free / RoHS Compliant Compliant
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Ukuran Memori — 4 Gbit
Speed (Data Rate) — 2666 Mbps (DDR4-2666)
Supply Voltage VDD — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
I/O Voltage VDDQ — 1.2 V
Antarmuka — SSTL-12
Fitur — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Technology — Samsung F-die CMOS
Bank Groups — 4 (x16 configuration)
Refresh — Self-refresh and auto-refresh supported

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon