K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4A4G165WD-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4A4G165WF-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCWE
ब्रांड Samsung Electronics Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
स्टॉक स्थिति — In Stock
यूनिट मूल्य (USD) — $10.65
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
संगठन 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
सप्लाई वोल्टेज 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
पैकेज FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
इंटरफ़ेस प्रकार DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Supported
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS स्थिति Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
डेटा दर — 3200 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
इंटरफ़ेस — Parallel
Die Generation — Samsung F-die
Data Mask — Supported (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Asynchronous Reset — Supported

डेटाशीट और संसाधन

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