K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של K4A4G165WD-BCRC מאת Samsung Electronics ו K4A4G165WF-BCWE מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Samsung Electronics
K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCWE
מותג Samsung Electronics Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
סטטוס מלאי — In Stock
מחיר ליחידה (USD) — $10.65
סוג זיכרון DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
ארגון 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
מתח אספקה 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
מארז FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
סוג ממשק DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Supported
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
טמפרטורת פעולה [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
סטטוס RoHS Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
קצב נתונים — 3200 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
ממשק — Parallel
Die Generation — Samsung F-die
Data Mask — Supported (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Asynchronous Reset — Supported

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר