K4A4G165WD-BCRC vs K4A4G165WF-BCWE 比較

詳細並排比較 K4A4G165WD-BCRC 由 Samsung Electronics 與 K4A4G165WF-BCWE 由 Samsung Electronics. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

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K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400MHz | Samsung

K4A4G165WD-BCRC ✓ 啟用中
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K4A4G165WF-BCWE K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE - 4Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4A4G165WF-BCWE ✓ 啟用中

規格比較

參數 K4A4G165WD-BCRC K4A4G165WF-BCWE
品牌 Samsung Electronics Samsung Electronics
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
庫存狀態 — In Stock
單價 (USD) — $10.65
記憶體類型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit —
組織 256M x 16 256M x 16
Speed Bin DDR4-2400 (BCRC) —
供應電壓 1.2 V 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
封裝 FBGA-96 FBGA-96 (TFBGA)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
Process Generation Samsung D-die —
介面類型 DDR4 (double data rate, parallel) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
Data Mask Function Yes —
Auto Precharge Yes Supported
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes Supported
工作溫度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to +85C
RoHS 狀態 Lead free / RoHS Compliant Compliant (per JLCPCB listing)
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Memory Density — 4 Gbit
資料速率 — 3200 Mbps
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
介面 — Parallel
Die Generation — Samsung F-die
Data Mask — Supported (DM)
On-Die Termination — Dynamic ODT supported
CRC — Supported
Asynchronous Reset — Supported

資料表與資源

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